후면전력공급(BSPDN) 기술은 반도체 제조 공정에서 새로운 혁신으로 주목받고 있는 핵심 기술입니다. 특히 고성능 컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI), 데이터센터와 같은 전력 소모가 많은 산업에서 전력 효율성과 데이터 처리 속도를 대폭 개선하며, 향후 시장 성장을 주도할 것으로 기대됩니다. 삼성전자의 BSPDN 기술 도입 발표 이후 관련 테마주에 대한 관심이 높아지고 있습니다.
후면전력공급 BSPDN 관련주 이슈 원인
삼성전자는 **‘삼성 파운드리 포럼 2024’**에서 2나노 공정에 BSPDN 기술을 적용할 계획을 발표하며, 2027년까지 양산을 목표로 기술 개발을 가속화하겠다고 밝혔습니다. BSPDN은 기존 전면 전력 공급 방식의 구조적 한계를 극복하여 데이터 전송 속도와 전력 효율을 동시에 개선하는 혁신 기술로, 반도체 제조 공정의 새로운 패러다임으로 떠오르고 있습니다.
이 기술은 전력 배선층을 웨이퍼 후면으로 이동시켜 공간 활용도를 높이고 회로 간섭을 최소화하며, 특히 전력 효율이 중요한 데이터센터와 HPC 시장에서 중요한 역할을 합니다. 삼성전자의 발표 이후 BSPDN 기술을 지원하거나 관련 공정 장비를 제공하는 기업들의 주가가 급등하며 시장의 주목을 받고 있습니다.
후면전력공급 BSPDN 관련주 이슈 히스토리
주요 발표 및 시장 반응
2024.06.13
삼성전자, 2나노 공정 BSPDN 적용 발표
삼성전자는 BSPDN 기술을 활용하여 첨단 반도체 제조 기술 경쟁력을 강화하겠다고 밝혔으며, 관련 장비 및 소재 업체의 주가가 상승했습니다.
✅ 주도주: 케이씨텍
2024.02.28
BSPDN 기술 개발 초기 목표 초과 달성
BSPDN 기술 개발 초기 연구 성과가 기대치를 초과하며, 기술 공급사와 관련 장비 제조사들이 큰 주목을 받았습니다.
✅ 주도주: 와이씨켐
후면전력공급 BSPDN(Back-Side Power Delivery Network)이란?
기술적 원리 및 배경
- 전면 전력 공급(FSPDN)
기존 방식에서는 웨이퍼 전면에 전력 배선층과 전기회로가 동시에 배치되어 공간 부족과 간섭 현상이 발생하곤 했습니다. - 후면 전력 공급(BSPDN)
전력 배선층을 웨이퍼 후면으로 이동시켜 데이터 전송 및 전력 전달 효율을 개선하며, 기존 공정의 구조적 문제를 해소합니다.
기술적 이점
- 전력 손실 감소
- 전력 전달 경로를 최적화하여 에너지 손실을 줄이고 데이터 처리 성능을 높입니다.
- 미세 공정 지원
- 웨이퍼 후면 공간 활용으로 2나노 이하 초미세 공정에서도 설계의 한계를 극복할 수 있습니다.
- 제품 소형화 및 집적도 증가
- 전력 배선층 분리가 가능해져 고밀도 칩 설계 및 소형화가 가능합니다.
후면전력공급 BSPDN 관련주 업종 동향 및 특징
1. 삼성전자 및 글로벌 경쟁사 현황
- 삼성전자: 2나노 공정에서 BSPDN 도입으로 첨단 파운드리 시장 점유율 확대를 목표로 기술 개발을 진행 중.
- TSMC: 2026년부터 1.6나노 공정에서 BSPDN 기술을 활용하며, 첨단 패키징 기술로 경쟁력을 강화.
- 인텔: 자체 후면 전력 공급 기술인 ‘파워비아(Power Via)’를 개발하여 2024년 양산 제품에 적용 계획.
2. 시장 성장 전망
- 첨단 파운드리 시장 확대:
BSPDN 기술은 3나노 이하 초미세 공정에서 필수적으로 활용될 기술로, 시장 점유율 확대에 중요한 역할을 담당할 것입니다. - AI와 데이터센터 수요 증가:
AI, HPC 및 데이터센터 산업에서 전력 효율성 증대가 필수 요건으로 부각되며, BSPDN 기술이 높은 수요를 보일 전망입니다.
3. 관련 공정 기술과의 연계성
- TSV(Through Silicon Via) 및 CMP(화학기계연마)와 같은 공정 기술과 결합하여 BSPDN은 반도체 제조 필수 공정으로 자리 잡을 가능성이 큽니다.
후면전력공급 BSPDN 관련주 TOP5
1. 케이씨텍 (BSPDN 대장주)
- 사업 개요: CMP(화학기계연마) 공정 장비와 반도체 소재를 제조하는 기업.
- 특징: 국내 유일 CMP 장비 제조사로, 인텔과 TSMC를 주요 고객으로 확보.
- 주요 동향: 삼성전자의 BSPDN 기술 도입에 따라 장비 공급 확대 전망.
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2. 와이씨켐 (BSPDN 수혜주)
- 사업 개요: 반도체 공정 재료 및 후면 절연층 코팅 소재를 제조.
- 특징: 세계 최초 ArF 공정용 린스 상용화 기술로 기술력을 인정받으며, 삼성전자 및 TSMC와 협력.
- 주요 동향: BSPDN 후면 절연 코팅 기술 개발로 관련 수요 증가 예상.
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3. 에프엔에스테크 (BSPDN 테마주)
- 사업 개요: CMP 패드 재생 및 반도체 장비 제조.
- 특징: CMP 장비 재활용 기술을 보유하며, BSPDN 구현을 위한 필수 장비 공급에 주력.
- 주요 동향: 삼성전자와 긴밀한 협력 관계로 장비 공급 확대 중.
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4. 동진쎄미켐 (BSPDN 관련주)
- 사업 개요: 반도체 및 디스플레이용 소재 제조.
- 특징: CMP 슬러리 및 감광액 제조로 경쟁력을 확보하며, BSPDN과 관련된 신소재 개발 진행 중.
- 주요 동향: 연료전지와 신재생에너지 소재 사업으로 다각화 추진.
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5. 솔브레인 (BSPDN 대장주)
- 사업 개요: 반도체 공정용 화학재료 및 첨단 화학 소재 제조.
- 특징: CMP 슬러리 등 첨단 공정 지원 화학 소재 생산.
- 주요 동향: 2차 전지 및 반도체 첨단 공정 소재 확장 중.
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후면전력공급 BSPDN 시장 전망
BSPDN 기술 성장 동력
- AI 및 데이터센터 수요 급증
- BSPDN은 고성능 반도체 설계의 필수 기술로 자리 잡고 있으며, 데이터센터와 AI 시장의 확장과 함께 성장세를 지속할 것입니다.
- 글로벌 경쟁 심화
- 삼성전자, TSMC, 인텔 등 주요 반도체 기업들이 기술 선점을 위해 BSPDN 도입에 박차를 가하고 있습니다.
- 첨단 공정 기술과 결합
- TSV 및 CMP 공정과 결합하여 반도체 제조 공정에서 BSPDN 기술은 필수 요소로 자리 잡을 것입니다.